Mémoire morte de 4x4 bits

Chaque cellule de la mémoire morte est programmée en usine par le fondeur de silicium lors de la fabrication de la mémoire.

L'élément qui fait office de 'fusible' peut être une simple diode (présente ou absente), ou le plus souvent aujourd'hui un transistor MOS dont la grille est ou non reliée à la ligne d'adresse de sélection de cette cellule (voir ci-contre).

Si la grille est reliée à la ligne d'adressage alors la sortie de donnée sera à 1, sinon elle sera à 0.

Dans une mémoire programmable par l'utilisateur, le principe est le même mais cette fois un fusible relie la grille à la ligne d'adressage. Ce fusible sera fondu électriquement par l'utlisateur lors de la programmation de la mémoire.