Les mémoires vives s'appelent en anglais RAM, ce qui signifie Random Access Memory (mémoire à accès aléatoire).

Ce terme de RAM est en fait utilisé pour signifier qu'il est possible dans ces mémoires d'atteindre instantanément n'importe quel élement de la mémoire, par différence avec les mémoires à accès séquentiel dans lesquels les élements ne peuvent être lus que les uns à la suite des autres (comme une bande magnétique par exemple, ou les registres FIFO et les mémoires à transfert de charge).

Par principe, une RAM est volatile, c'est à dire que l'information qu'elle contient s'efface dès la coupure de son alimentation. Seules les mémoires NVRAM (NonVolatile RAM) peuvent conserver cette information, grâce à l'utilisation d'une grille flottante, placée entre la grille de commande et le canal drain-source. Elles s'apparentent alors à des mémoires mortes reprogrammables électriquement (mémoires Flash).

Les autres RAM sont divisées en deux grandes catégories :
- les RAM statiques (SRAM) ,
- et les RAM dynamiques (DRAM).

Les RAM statiques utilisent des bascules pour stocker l'information. Elles ont donc besoin de plusieurs transistors pour la réalisation de chaque bascule, d'où une densité d'intégration relativement faible. Par contre, réalisés dans des technologies bipolaires elles ont des temps d'accès, de lecture et d'écriture très faibles. Elles seront donc utilisées en petite quantité, à chaque fois que la vitesse d'accès à l'information sera prioritaire. On les retrouvera donc souvent placée en tampon entre les processeurs et la mémoire vive dynamique pour conserver les dernières informations lues dans celles-ci. On les désigne alors sous le nom de mémoires cache.

Les RAM dynamiques utilisent la capacité grille substrat d'un transistor MOS pour stocker l'information. Il suffit donc seulement d'un transistor utilisé comme interrupteur, et d'un transistor comme condensateur pour câbler une cellule de mémoire. Les RAM dynamiques ont donc une très grande densité d'intégration. Elles servent de mémoire centrale dans la plupart des systèmes numériques. Toutefois l'information se perd rapidement en raison de la décharge du condensateur. Il faut donc intégrer dans ces mémoires des dispositifs qui régénèrent l'information de façon périodique : ce sont les circuits de rafraîchissement de la mémoire.

Les cycles de lecture et d'écriture d'une DRAM sont donc entrecoupés par les cycles de rafraîchissement. Par ailleurs, la grande quantité d'information contenue dans une DRAM a obligé les concepteurs de ces circuits à multiplexer les adresses. On comprend donc que l'utilisation d'une DRAM est beaucoup plus lente et complexe qu'une RAM statique.