Du fait de leur très grande densité d'intégration, les mémoires vives dynamiques DRAM doivent recourir à un multiplexage des adresses pour connaître la position de la cellule adressée. Les bits de l'adresse d'entrée sont donc associés à deux signaux supplémentaires qui indiquent à la mémoire si l'adresse est celle des lignes (RAS) ou celle des colonnes (CAS). Le chargement de la position d'une cellule de mémoire se fait donc en deux temps :
- chargement de l'adresse de la ligne de la cellule recherchée (Adresse et signal RAS actifs),
- chargement de l'adresse de la colonne de cette cellule (Adresse et signal CAS actifs).

De plus, ces mémoires intègrent un compteur de rafraîchissement qui gère l'adressage des lignes à rafraîchir. Le mode de rafraîchissement peut se faire:
- soit entre des modes de lecture et d'écriture standard, on parle alors de rafraîchissement distribué,
- soit en bloquant les accès en lecture et en écriture pour rafraichir la totalité des cellules, on parle alors de rafraîchissement en rafale. Dans ce dernier cas, ce rafraîchissement occupe plus de temps en une seule fois mais est opéré moins fréquemment.

Les différents types de mémoires DRAM

Il existe de nombreux types de mémoires vives, mais on distingue essentiellement les :
1 - FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)
2 - EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)
3 - SDRAM (Synchronous DRAM)
4 - RDRAM (Rambus DRAM)
5 - DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
6 - SynchLink DRAM
7 - Dual Port Graphics Buffer
8 - SGRAM (Synchronous Graphics RAM)
9 - DDR SGRAM (Double Data Rate SGRAM)
10 - SSRAM (Synchronous SRAM)
11 - DDR SSRAM (Double Data Rate SSRAM).

Pour plus de renseignements concernant toutes ces mémoires vives, il faut se reporter aux documents des fabricants.

On trouvera d'excellents renseignements dans le manuel d'utilisation des mémoires synchrones de la société Elpida, filiale de NEC.