Chaque bit d'une mémoire est stocké dans une cellule élémentaire dont la réalisation dépend de la technologie retenue.

On peut globalement classer les différents types de cellules en trois groupes :
1 - les bascules,
2 - les condensateurs,
3 - les interrupteurs fusibles.

Lorsqu'un bit est stocké dans une bascule (TTL ou CMOS), il peut y rester indéfiniment tant que cette bascule est alimentée en énergie. C'est ainsi que sont réalisées les mémoires vives statiques SRAM.

Lorsqu'un bit est stocké dans un condensateur (capacité grille source d'un transistor MOS), il est nécessaire de rafraîchir périodiquement la charge de ce condensateur afin de sauvegarder l'information. C'est ainsi que sont réalisées la plupart des mémoires dynamiques DRAM.

Cellule de mémoire MOS à un transistor et un condensateur

Lorsqu'un bit est stocké par fusion d'un fusible, ou claquage d'une diode, l'opération réalisée est irréversible. C'est la présence ou l'absence de conduction électrique qui déterminera la valeur du bit stocké. C'est ainsi que sont réalisées les ROM et EPROM.