La technologie TTL Schottky
Afin d'augmenter la vitesse de commutation des circuits intégrés TTL, une solution est d'empêcher la sursaturation des transistors. Pour celà on place entre la base et le collecteur une diode rapide d'antisursaturation. La diode Schottky réalisée par la jonction entre un métal et un semi-conducteur extrinsèque remplit parfaitement cette fonction.
Lorsque le courant de base augmente, le transistor se sature et donc son Vce diminue jusqu'à atteindre des valeurs proches de 0. Dès que le collecteur est à un potentiel suffisamment bas, la diode Schottky, dont la tension de seuil est environ de 0,4 volts, se met à conduire, dérivant ainsi vers le circuit collecteur émetteur le surplus de courant qui aurait normalement dû passer dans la base. On évite ainsi la sursaturation du transistor (voir l'animation).
Les premières diodes à l'état solide (diodes des postes à galène) étaient de ce type et furent découvertes par F. BRAUN en 1874. Les diodes Schottky sont également très utilisées dans les récepteurs à micro-ondes.
Les technologies TTL Schottky (S) et leurs dérivées, Low Power Schottky (LS), AS (Advanced Schottky), ALS (Advanced Low Power Schottky)... , utilisent donc des transistors dits Schottky, qui intègrent entre base et collecteur une diode Schottky. Cette diode est obtenue par un contact direct entre le métal et la zone N du collecteur. L'autre partie du métal déposé permet de réaliser le contact ohmique entre la broche de base et la zone N correspondante.
