Page 2 - Le hacheur à transistor

Le hacheur série à transistor MOS
Ces temps peuvent également être mesurés sur la tension de sortie.

Le temps de fermeture t on peut en fait se D
décomposer en trois phases :
- Charge de C gs avec une tension grille
source inférieure à la tension de
pincement V gs(seuil), donc pour un C gd
transistor encore à l’état OFF. Cd
- Charge de C gs pendant la montée de I d, s
le transistor passant à l’état ON. Pendant G
cette phase C gd se charge également et
dérive donc une grande partie du courant C gs
de charge de C gs.
- Le transistor est entré dans l’état ON, et
C gs continue de se charger de façon
exponentielle jusqu’à la valeur de la
tension d’entrée.
S

V (V)
ds
12

I (A)
0.5 ds

V gs

V gs(seuil)

t
(μs)
0 Le transistor 1
commute

1.2 - A t = αT, on commande l’ouverture du transistor : état OFF.
La décroissance du courant de drain consécutive au blocage du transistor ne peut
avoir lieu qu’après l’évacuation des charges stockées dans la capacité de grille : temps
de retard t d(off) (OFF delay time t d(off)).
Puis le courant de drain I d va décroître, temps de descente t f (fall time) pendant que
la tension V ds va remonter de V ds(on) à V 5+ en suivant la droite de charge définie par
l’équation (1).
Le plus souvent le constructeur ne garantit que le temps d’ouverture (turn off time)
t off = t d(off)+t d.

Le temps d’ouverture t off se décompose en trois phases équivalentes à celles déjà
étudiée à la fermeture :
- évacuation des charges excédentaires stockées dans la capacité grille-source,
- décharge de Cgd dans Cgs, donc maintien de Vgs constant pendant la phase de
commutation,
- décharge de Cgs.

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